微波炉是制造2纳米芯片的关键技术。
是的，是厨房里的微波炉。
康奈尔大学的研究小组改进了家用微波炉，用微波处理芯片。该公司还表示，这可能会将TSMC和三星等领先制造商的芯片尺寸降至仅2纳米。
目前，相关研究成果已发表在《应用物理杂志》上:
具体怎么说？让我们看一看。
在此之前，我们先简单了解一下是什么制约了2nm芯片的制作。
芯片上会有很多晶体管。在晶体管内部，电流会从头流到尾(漏极)。
在这个过程中，电流会通过一个门，门的宽度正好是芯片大小。
但是随着制造技术的发展，栅极的宽度越来越小，源漏之间的距离越来越近。
这会造成源漏的电场对栅极的干扰，使栅极对电流的控制能力大大降低，即出现短沟道效应。
要解决短沟道效应，很大程度上要在芯片材料和工艺上努力，其中一个途径就是提高器件沟道的掺杂浓度。
具体来说，通过在芯片材料中掺杂大量其他原子，然后对它们进行退火，来激活掺杂的原子。
比如在硅中掺杂磷原子，然后将混合物加热退火，增加磷原子的平衡浓度，也就是说激活硅中磷原子的活性，从而提高其电流传导能力。
但是增加掺杂浓度并不容易。
目前传统的提高平衡浓度的加热退火方法已经到了极限，如果再提高，可能会导致硅晶体的膨胀。
传统方法行不通，只好另辟蹊径。
不，康奈尔大学的研究人员提出了一种提高磷平衡浓度的新方法:微波技术。
在此之前，TSMC推测微波可以激活多余的掺杂剂。
但是微波有一个很大的弱点，就是驻波的存在，驻波不传导能量，会阻碍材料中掺杂物的持续激活。
所以，只要求解ldquoRdquo这个问题，一切都会迎刃而解。
的确，TSMC与康乃尔大学的黄哲伦合作改进了微波炉，使微波炉工作过程中产生的驻波得到有效控制。
这样可以有选择地控制驻波的时间，使芯片材料中掺杂的原子得到适当的激活，晶体不会因过热而损坏。
此外，使用微波技术增加掺杂浓度也可能改变芯片中使用的晶体管的几何形状。
FinFET结构已经存在了20多年，微波退火使得开发新的晶体管结构成为可能。在这种结构中，晶体管作为纳米板水平堆叠，这可以进一步增加晶体管的密度和控制。
值得一提的是，黄哲伦还对这项技术做了一个预测:
这项技术可能在2025年左右用于生产半导体材料和电子产品。
而且，他还和博士后gianluca middot合作过；Fabi共同申请了两项微波退火炉专利。
不过，也有网友对微波技术能否算是制作2nm芯片的关键技术发表了自己的看法。
基本上，他们改进了制造芯片的许多步骤中的一个。但这不是一个芯片大小的步骤。相反，它只是其他步骤运行得更好的一个准备步骤。
至于微波技术，你认为是2nm芯片突破的关键吗？
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