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Intel再投200亿美元建2座芯片工厂“1.8nm”工艺王者归来

来源:网络    2022-09-11 08:57:00    阅读量:18028    
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Intel再投200亿美元建2座芯片工厂“1.8nm”工艺王者归来

当地时间9月9日,英特尔CEO基辛格宣布,将投资200亿美元在美国俄亥俄州建设大型晶圆厂。这是英特尔IDM 2.0战略的一部分,总投资计划高达1000亿美元。新工厂预计2025年量产,届时ldquo1.8nmrdquo技术将使英特尔重回半导体领导者的位置。

自去年2月就任英特尔首席执行官以来,基辛格开始大力推动在美国和世界各地建厂,其中在美国的投资至少超过400亿美元。去年,他投资200亿美元在亚利桑那州建造了一座晶圆厂。这一次,他还在俄亥俄州投资了200亿美元,并在新墨西哥州建立了一个新的包装和测试工厂。

这座英特尔工厂也是美国通过528亿美元的芯片补贴法案后,在美国新建的大型半导体芯片工厂。为此美国总统也出席了奠基仪式,还有俄亥俄州州长等当地部门的高级官员。

英特尔的芯片制造基地将由两个晶圆厂组成,最多可容纳八个工厂和配套的生态支持系统,占地近1000英亩,即4平方公里,将创造3000个高薪职位,7000多个建筑职位,以及数万个供应链合作职位。

这两家晶圆厂预计在2025年量产。英特尔没有具体提到工厂的工艺水平,但英特尔之前说过要在四年内掌握五代CPU工艺,2024年要量产两代20A和18A工艺。所以,这里的工厂到时候应该也会量产18A的工艺。

20A和18A是世界上第一批达到艾美奖水平的芯片工艺,相当于友商的2nm和1.8nm工艺。英特尔的两大黑科技Ribbon FET和PowerVia也将推出。

据英特尔称,RibbonFET是英特尔对Gate All Around transistor的实现,它将是该公司自2011年首次推出FinFET以来的第一个全新的晶体管架构。该技术加快了晶体管的开关速度,同时实现了与多鳍片结构相同的驱动电流,但占用空间更小。

PowerVia是英特尔独有的第一个背面电力传输网络,它通过消除晶圆正面的电源和布线需求来优化信号传输。

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