当地时间9月9日，英特尔CEO基辛格宣布，将投资200亿美元在美国俄亥俄州建设大型晶圆厂。这是英特尔IDM 2.0战略的一部分，总投资计划高达1000亿美元。新工厂预计2025年量产，届时ldquo1.8nmrdquo技术将使英特尔重回半导体领导者的位置。
自去年2月就任英特尔首席执行官以来，基辛格开始大力推动在美国和世界各地建厂，其中在美国的投资至少超过400亿美元。去年，他投资200亿美元在亚利桑那州建造了一座晶圆厂。这一次，他还在俄亥俄州投资了200亿美元，并在新墨西哥州建立了一个新的包装和测试工厂。
这座英特尔工厂也是美国通过528亿美元的芯片补贴法案后，在美国新建的大型半导体芯片工厂。为此美国总统也出席了奠基仪式，还有俄亥俄州州长等当地部门的高级官员。
英特尔的芯片制造基地将由两个晶圆厂组成，最多可容纳八个工厂和配套的生态支持系统，占地近1000英亩，即4平方公里，将创造3000个高薪职位，7000多个建筑职位，以及数万个供应链合作职位。
这两家晶圆厂预计在2025年量产。英特尔没有具体提到工厂的工艺水平，但英特尔之前说过要在四年内掌握五代CPU工艺，2024年要量产两代20A和18A工艺。所以，这里的工厂到时候应该也会量产18A的工艺。
20A和18A是世界上第一批达到艾美奖水平的芯片工艺，相当于友商的2nm和1.8nm工艺。英特尔的两大黑科技Ribbon FET和PowerVia也将推出。
据英特尔称，RibbonFET是英特尔对Gate All Around transistor的实现，它将是该公司自2011年首次推出FinFET以来的第一个全新的晶体管架构。该技术加快了晶体管的开关速度，同时实现了与多鳍片结构相同的驱动电流，但占用空间更小。
PowerVia是英特尔独有的第一个背面电力传输网络，它通过消除晶圆正面的电源和布线需求来优化信号传输。
