众所周知，在集成电路制造中，光刻涵盖了微纳图形的转移，加工和形成，决定了集成电路晶片上电路的特征尺寸和芯片中晶体管的数量它是集成电路制造中的关键技术之一伴随着半导体工艺发展到7nm及以下节点，极紫外光刻已经成为首选的光刻技术
当EUV掩模对准器使用强相干光源进行光刻时，由照明系统分割的相干光的多个子光束具有固定的相位关系这些子光束投射到掩模上叠加后，会形成固定的干涉图样，产生明暗变化和光强不均匀的问题因此，必须先进行消相干，达到光均衡的效果，才能保证光刻工艺的正常进行
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