三星电子新芯片研发中心动工计划2028年前投资150亿美元

据国外媒体报道，上周五，三星电子在韩国开设了新的半导体R&D中心破土动工，计划到2028年投资约20万亿韩元。

刚刚被赦免的三星电子副总裁李在镕和高管出席了奠基仪式随后，他会见了芯片业务的员工，并单独会见了高管，讨论如何确保扩大半导体领导地位的技术

据报道，这个位于首尔南部Giheung的新R&D中心将领导下一代存储和系统芯片设备和工艺的高级研究，以及基于长期路线图的新技术开发。

该公司在一份声明中表示:三星电子正在寻求克服半导体规模的限制。